TRUMPF Hüttinger

Siliziumkarbid steigert Energieeffizienz

26/01/201523/01/2015 gg BMBF, Bundesforschungsministerium, Energieeffizienz, Float Zone, IXYS Semiconductor, Karlsruher Institut für Technologie, KIT, Lichttechnisches Institut, LTI, MMPSiC, Modulare Mittelfrequenz-Prozessstromversorgung mit Siliziumkarbid-Leistungshalbleiterschaltern, Siliziumkarbid, Stromversorgung, TRUMPF Hüttinger, Wirkungsgrad, Zonenschmelzverfahren

Den Wirkungsgrad der Stromversorgung in industriellen Prozessen zu erhöhen und dadurch Energie und CO2 einzusparen, ist Ziel des neuen Verbundprojekts

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Firmenportrait – Schneider Electric

25/07/202202/08/2022 dc

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Firmenportrait – Etherma

20/04/202103/05/2022 dc

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Firmenportrait – Conrad Electronic

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Firmenportrait – Lunos Lüftungstechnik

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